Часто собирая какую нибудь электронную конструкцию,как то, усилитель звуковой частоты,средства автоматики,устройства на базе микроконтроллеров,и многое другое,мы задаемся вопросом а чем питать аппаратуру? Радиоэлектронные устройства в большинстве своем питаются постоянным напряжением отличным от напряжения сети. В последнее время все чаще импульсная техника вытесняет из повседневного обихода традиционные трансформаторные схемы блоков питания. Выигрыш тут очевиден, во первых это экономия намоточного материала, который стоит не дешево. Во вторых, это габариты и масса приборов,на сегодняшний день при современной миниатюризации аппаратуры различного назначения,этот вопрос очень актуален, большинство схем ИБП довольно сложны в сборке и настройке и не доступны для повторения начинающими радиолюбителями.
В данной статье приводится схема простого ИБП, при разработке которого ставилась задача простоты конструкции, хорошей повторяемости, использование подручного материала, несложности в сборке и настройке. Несмотря на простоту, ИБП имеет довольно неплохие характеристики.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИБОРА
Питающее напряжение сети: 220В/50Гц.
Номинальная выходная мощность: 300Вт.
Максимальная выходная мощность: до 500Вт.
Частота преобразования напряжения: 30кГц.
Вторичное выпрямленное напряжение варьируется по необходимости.
ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА ИПБ
Принцип работы ИБП заключается в следующем: импульсы для управления ключами генерирует задающий генератор, построенный на специальном драйвере TL494, частота импульсов управления 30кГц. Импульсы управления с выходов микросхемы подаются поочередно на транзисторные ключи VT1,VT2 предварительного формирователя импульсов для выходных силовых ключей. Ключи VT1,VT2 нагружены трансформатором управления TR1, который и формирует импульсы управления мощными выходными ключами VT3,VT4 ,формирователь необходим для гальванической развязки затворных цепей выходного каскада. ИБП построен по полумостовой схеме, средняя точка для полумоста создается конденсаторами С3,С4, которые одновременно служат сглаживающим фильтром выпрямленного диодным мостом VDS1 питающего напряжения сети. Цепь R7,C8 обеспечивает кратковременно питание на задающий генератор и формирователь импульсов управления,для первичного запуска ИБП, после полного заряда конденсатора С8 питание формирователя осуществляется непосредственно обмоткой 3 трансформатора TR2 c которой снимается переменное напряжение 12В. Цепочка VD2 ,C6 служит для выпрямления и сглаживания питающего формирователь напряжения. Стабилитрон VD1 ограничивает напряжение первичного запуска до 12В.Вторичное напряжение питания для РЭА снимается с обмотки 3 трансформатора TR2, выпрямляется диодами шотки VD3,VD4 и подается на сглаживающий фильтр С9,С10. Если необходимое напряжение питания превышает 35В, включаются по два диода последовательно.
Несколько слов о конструкции ИБП: большинство компонентов взяты из неисправного компьютерного БП АТХ. А именно это микросхема TL494, конденсаторы С9,С10, диодный мост VDS1, конденсаторы С1,С2, С5,С6,С7, диод VD2, диоды Шоттки VD3,VD4, и ферритовые сердечники с каркасами TR1,TR2.
Сам ИБП конструктивно был собран в корпусе того же разобранного БП АТХ. Транзисторы VT3,VT4 установлены на радиаторы площадью 50 см.
Данные перемотки трансформаторов TR1,TR2:
TR1, все четыре обмотки содержат по 50 витков провода 0.5 мм
TR2, Обмотка 1 наматывается проводом 0.8мм 110 витков. Обмотка 3 содержит 12 витков проводом 0.8мм. Обмотка 2 наматывается в зависимости от необходимого вторичного напряжения питания и рассчитывается из соотношения 1 виток на 2 вольта. Так как на выходе стоит удвоитель напряжения.
Список радиоэлементов
| Обозначение | Тип | Номинал | Количество | Примечание | Магазин | Мой блокнот |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ШИМ контроллер | TL494 | 1 | ||||
| VT1, VT2 | MOSFET-транзистор | IRFZ34 | 2 | |||
| VT3, VT4 | MOSFET-транзистор | IRFP460 | 2 | |||
| VD1 | Стабилитрон | Д815Д | 1 | |||
| VD2 | Диод | 1 | ||||
| VD3, VD4 | Диод Шоттки | MBR4045PT | 2 | |||
| VDS1 | Диодный мост | 1 | ||||
| С1 | Конденсатор | 4.7 нФ | 1 | |||
| С2 | Электролитический конденсатор | 100 мкФ 16 В | 1 | |||
| С3, С4 | Электролитический конденсатор | 330 мкФ 200 В | 2 | |||
| С5 | Конденсатор | 1 мкФ 250 В | 1 | |||
| С6 | Электролитический конденсатор | 100 мкФ 25 В | 1 | |||
| С7 | Конденсатор | 100 нФ | 1 | |||
| С8 | Электролитический конденсатор | 100 мкФ 450 В | 1 | |||
| С9, С10 | Электролитический конденсатор | 1000 мкФ 100 В | 2 | |||
| R1, R2 | Резистор | 68 Ом | 2 | 0.5 Вт | ||
| R3 | Резистор | 10 кОм | 1 | |||
| R4, R5 | Резистор | 36 Ом | 2 | 0.5 Вт | ||
| R6, R7 | Резистор | 1 Ом | 2 | 2 Вт | ||
| Предохранитель | 2 А | 1 | ||||
| TR1 | Трансформатор | 1 | ||||
| TR2 | Трансформатор | 1 | ||||