Цоколевка транзистора 2N3019

|

Характеристики транзистора 2N3019

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 140 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-39