Цоколевка транзистора 2N3766
|
Характеристики транзистора 2N3766
- Структура — n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-66
Аналоги
Транзистор 2N3766 можно заменить на 2N3767, 2SC1113