Цоколевка транзистора 2N4356

|

Характеристики транзистора 2N4356

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 500 МГц
• Корпус: TO-105