Цоколевка транзистора 2N5195G

|

Характеристики транзистора 2N5195G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 80
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5195G является транзистор 2N5192G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5195G можно заменить на 2N5195, NTE185