Цоколевка транзистора 2N5320

|

Характеристики транзистора 2N5320

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-39

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5320 является транзистор 2N5322 c p-n-p структурой.