Цоколевка транзистора 2N5416

|

Характеристики транзистора 2N5416

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -350 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-39

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5416 является транзистор 2N3439 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5416 можно заменить на NTE397