Цоколевка транзистора 2N5430

|

Характеристики транзистора 2N5430

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-66