Цоколевка транзистора 2N5630

|

Характеристики транзистора 2N5630

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 16 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 80
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 1 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5630 является транзистор 2N6030 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5630 можно заменить на 2N5038, 2N5039, 2N5672