Цоколевка транзистора 2N5632

|

Характеристики транзистора 2N5632

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 1 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5632 является транзистор 2N6229 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5632 можно заменить на 2N5038, 2N5039, 2N5629, 2N5672, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, BUY691, BUY69B, BUY69C, BUY701, BUY70B, BUY70C, MJ12022, MJ15001, MJ15001G, MJ15003, MJ15003G, MJ15011, MJ15011G, MJ8504, MJ8505