Цоколевка транзистора 2N5671

|

Характеристики транзистора 2N5671

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 90 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 30 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 140 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор 2N5671 можно заменить на 2N5672