Цоколевка транзистора 2N6420

|

Характеристики транзистора 2N6420

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -175 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 200
• Корпус: TO-66

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6420 является транзистор 2N3583 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N6420 можно заменить на 2N6424, 2N6425