Цоколевка транзистора 2N6470

|

Характеристики транзистора 2N6470

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 50 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор 2N6470 можно заменить на 2N6471, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12022