Цоколевка транзистора 2N6491G

|

Характеристики транзистора 2N6491G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-220

Аналоги

Транзистор 2N6491G можно заменить на 2N6491, BD744B, BD744C, BD912