Цоколевка транзистора 2N6510

|

Характеристики транзистора 2N6510

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 250 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 50
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор 2N6510 можно заменить на 2N6249, 2N6250, 2N6251, 2N6511, 2N6512, 2N6513, 2N6514, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD822, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008, MJ8504, MJ8505