Цоколевка транзистора 2N6530

|

Характеристики транзистора 2N6530

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 10000
• Корпус: TO-220

Аналоги

Транзистор 2N6530 можно заменить на 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SC2898, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, MJF15030, MJF15030G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP160, TIP161, TIP162