Цоколевка транзистора 2N6559

|

Характеристики транзистора 2N6559

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 350 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 350 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
• Корпус: TO-202