Цоколевка транзистора 2N6671

|

Характеристики транзистора 2N6671

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 450 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор 2N6671 можно заменить на 2N6251, 2N6672, 2N6673, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC3045, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008, MJ8504, MJ8505