Цоколевка транзистора 2N6729

|

Характеристики транзистора 2N6729

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-237

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6729 является транзистор 2N6717 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N6729 можно заменить на 2N6730