Цоколевка транзистора 2SA1006-P

|

Характеристики транзистора 2SA1006-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SA1006 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA1006-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SA1006-Q — в диапазоне от 100 до 200, 2SA1006-P — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SA1006-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «A1006-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SA1006-P является транзистор 2SC2336-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SA1006-P можно заменить на 2SA1006A, 2SA1006A-P, 2SA1006B, 2SA1006B-P, 2SA1668, 2SA1930, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G