Транзистор 2SA1016G

Цоколевка транзистора 2SA1016G

|Цоколевка транзистора 2SA1016G (маркируется как A1016G)

Характеристики транзистора 2SA1016G

  • Структура — p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.05 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 280 до 560
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 110 МГц
  • Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SA1016 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA1016F имеет коэффициент усиления в диапазоне от 160 до 320, 2SA1016G — в диапазоне от 280 до 560, 2SA1016H — в диапазоне от 480 до 960.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SA1016G часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «A1016G«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SA1016G является транзистор 2SC2326G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SA1016G можно заменить на 2SA1016K, 2SA1016KG, 2SA1017, 2SA1017G, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1376, 2SA872A, 2SA970, 2SA992, 2SB716, KSA992, KTA1279