Цоколевка транзистора 2SA1017G
|
Характеристики транзистора 2SA1017G
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 280 до 560
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 110 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SA1017 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA1017E имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SA1017F — в диапазоне от 160 до 320, 2SA1017G — в диапазоне от 280 до 560.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SA1017G часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «A1017G«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SA1017G является транзистор 2SC2363G c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SA1017G можно заменить на 2SA1016, 2SA1016G, 2SA1016K, 2SA1016KG, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1376, 2SA872A, 2SA970, 2SA992, 2SB716, KSA992, KTA1279