Цоколевка транзистора 2SA755

|

Характеристики транзистора 2SA755

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -50 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -4 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 35 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SA755 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA755-A имеет коэффициент усиления в диапазоне от 35 до 70, 2SA755-B — в диапазоне от 60 до 120, 2SA755-C — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SA755 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «A755«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SA755 является транзистор 2SC1419 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SA755 можно заменить на 2SA671, 2SA754, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G