Цоколевка транзистора 2SB1009-R
|
Характеристики транзистора 2SB1009-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -32 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 180 до 390
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB1009 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1009-P имеет коэффициент усиления в диапазоне от 82 до 180, 2SB1009-Q — в диапазоне от 120 до 270, 2SB1009-R — в диапазоне от 180 до 390.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1009-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1009-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1009-R является транзистор 2SD1380-R c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1009-R можно заменить на 2SB986, BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254, MJE371, MJE371G