Цоколевка транзистора 2SB1016

|

Характеристики транзистора 2SB1016

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1016 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1016-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB1016-O — в диапазоне от 70 до 140, 2SB1016-Y — в диапазоне от 120 до 240.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1016 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1016«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1016 является транзистор 2SD1407 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1016 можно заменить на 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G