Цоколевка транзистора 2SB1020
|
Характеристики транзистора 2SB1020
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 до 15000
- Корпус: TO-220F
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1020 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1020«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1020 является транзистор 2SD1415 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1020 можно заменить на 2N6042, 2N6042G, 2SB1020A, 2SB673, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G, TIP147T, TTB1020B