Цоколевка транзистора 2SB1186A-D

|

Характеристики транзистора 2SB1186A-D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1186A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1186A-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1186A-E — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1186A-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1186A-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1186A-D является транзистор 2SD1763A-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1186A-D можно заменить на 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA1964-D, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G