Цоколевка транзистора 2SB1186A-E

|

Характеристики транзистора 2SB1186A-E

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1186A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1186A-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1186A-E — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1186A-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1186A-E«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1186A-E является транзистор 2SD1763A-F c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1186A-E можно заменить на 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1011, 2SA1011E, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA1964, 2SA1964-E, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G