Цоколевка транзистора 2SB1417A-P

|

Характеристики транзистора 2SB1417A-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
• Корпус: MT-4

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1417A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1417A-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 150, 2SB1417A-P — в диапазоне от 120 до 250.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1417A-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1417A-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1417A-P является транзистор 2SD2137A-P c n-p-n структурой.