Цоколевка транзистора 2SB1625-O

|

Характеристики транзистора 2SB1625-O

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -110 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1625 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1625-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1625-P — в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1625-Y — в диапазоне от 15000 до 30000.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1625-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1625-O«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1625-O является транзистор 2SD2494-O c n-p-n структурой.