Цоколевка транзистора 2SB1626-O

|

Характеристики транзистора 2SB1626-O

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -110 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1626 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1626-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1626-P — в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1626-Y — в диапазоне от 15000 до 30000.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1626-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1626-O«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1626-O является транзистор 2SD2495-O c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1626-O можно заменить на BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW64D, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G