Цоколевка транзистора 2SB1626-Y
|
Характеристики транзистора 2SB1626-Y
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -110 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15000 до 30000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB1626 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1626-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1626-P — в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1626-Y — в диапазоне от 15000 до 30000.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1626-Y часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1626-Y«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1626-Y является транзистор 2SD2495-Y c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1626-Y можно заменить на BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G