Цоколевка транзистора 2SB502A

|

Характеристики транзистора 2SB502A

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -10 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 280
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-66

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB502A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB502A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 70, 2SB502A-O — в диапазоне от 50 до 140, 2SB502A-Y — в диапазоне от 100 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB502A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B502A«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB502A является транзистор 2SD877 c n-p-n структурой.