Цоколевка транзистора 2SB552-BN

|

Характеристики транзистора 2SB552-BN

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -220 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB552-BN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SB552-R — в диапазоне от 40 до 80.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB552-BN часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B552-BN«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB552-BN является транзистор 2SD552-DN c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB552-BN можно заменить на MJ15023, MJ15023G, MJ15025, MJ15025G, MJ21193, MJ21193G, MJ21195, MJ21195G