Цоколевка транзистора 2SB552-R
|
Характеристики транзистора 2SB552-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -220 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 80
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB552-BN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SB552-R — в диапазоне от 40 до 80.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB552-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B552-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB552-R является транзистор 2SD552-R c n-p-n структурой.