Цоколевка транзистора 2SB630
|
Характеристики транзистора 2SB630
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB630 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB630-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB630-R — в диапазоне от 60 до 120, 2SB630-Q — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB630 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B630«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB630 является транзистор 2SD610 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB630 можно заменить на MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G