Цоколевка транзистора 2SB646-D

|

Характеристики транзистора 2SB646-D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.05 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB646 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB646-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB646-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SB646-D — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB646-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B646-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB646-D является транзистор 2SD666-D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB646-D можно заменить на 2SA1016, 2SA1016F, 2SA1016K, 2SA1016KF, 2SA1017, 2SA1017F, 2SA1123, 2SA1124, 2SA1207, 2SA1208, 2SA1275, 2SA1275-Y, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1319, 2SA1370, 2SA1370-F, 2SA1371, 2SA1371-F, 2SA1376, 2SA1376A, 2SA1624, 2SA1624-F, 2SA1972, 2SB647, 2SB647D, HSB1109S, HSB1109S-D, KSA1013, KSA1013Y, KSA709C, KTA1275, KTA1275Y, KTA1279, NTE383