Цоколевка транзистора 2SB649-D

|

Характеристики транзистора 2SB649-D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB649 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB649-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB649-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SB649-D — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB649-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B649-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB649-D является транзистор 2SD669-D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB649-D можно заменить на 2SA1249