Цоколевка транзистора 2SB649A-C
|
Характеристики транзистора 2SB649A-C
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB649A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB649A-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB649A-C — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB649A-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B649A-C«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB649A-C является транзистор 2SD669A-C c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB649A-C можно заменить на 2SA1249, 2SA1249-Q