Цоколевка транзистора 2SB695

|

Характеристики транзистора 2SB695

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -170 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц
• Корпус: TO-3P

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB695 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B695«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB695 является транзистор 2SD731 c n-p-n структурой.