Цоколевка транзистора 2SB696-D

|

Характеристики транзистора 2SB696-D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-3

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB696 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB696-C имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB696-D — в диапазоне от 60 до 120, 2SB696-E — в диапазоне от 100 до 200, 2SB696-F — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB696-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B696-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB696-D является транзистор 2SD732-D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB696-D можно заменить на 2SA1072A, 2SA1073, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB697, 2SB697-D, 2SB697K, 2SB697K-D, 2SB705A, 2SB705A-R, 2SB705B, 2SB705B-R, 2SB706, 2SB706-R, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB722, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012, MJ15012G