Цоколевка транзистора 2SB705-Q

|

Характеристики транзистора 2SB705-Q

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -140 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -140 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 17 МГц
• Корпус: TO-3

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB705 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB705-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB705-R — в диапазоне от 60 до 120, 2SB705-Q — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB705-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B705-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB705-Q является транзистор 2SD745-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB705-Q можно заменить на 2SA1072A, 2SA1073, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB697, 2SB697-E, 2SB697K, 2SB697K-E, 2SB705A, 2SB705A-Q, 2SB705B, 2SB705B-Q, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB722, 2SB723, 2SB723-C