Цоколевка транзистора 2SB707-R
|
Характеристики транзистора 2SB707-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 80
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB707 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB707-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB707-O — в диапазоне от 60 до 120, 2SB707-Y — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB707-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B707-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB707-R является транзистор 2SD568-M c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB707-R можно заменить на 2N6107, 2N6107G, 2N6110, 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1097, 2SB1097-M, 2SB708, 2SB708-R, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB1097, KSB1097-R, KSB707, KSB707-R, KSB708, KSB708-R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955, MJF2955G, NTE197