Цоколевка транзистора 2SB708-O

|

Характеристики транзистора 2SB708-O

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB708 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB708-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB708-O — в диапазоне от 60 до 120, 2SB708-Y — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB708-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B708-O«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB708-O является транзистор 2SD569-L c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB708-O можно заменить на 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB870, 2SB870-R, 2SB946, 2SB946-R, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, FJP1943, FJPF1943, KSA1010, KSA1010O, KSB708, KSB708-O, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G