Цоколевка транзистора 2SB716-E

|

Характеристики транзистора 2SB716-E

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.05 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 400 до 800
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB716 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB716-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SB716-E — в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB716-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B716-E«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB716-E является транзистор 2SD756-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB716-E можно заменить на 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-E, 2SA1085, 2SA1085-E, 2SA1285, 2SA1285-G, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA872A-E, 2SA992, 2SA992E, KSA992, KSA992E, KTA1279