Цоколевка транзистора 2SB722

|

Характеристики транзистора 2SB722

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50
• Корпус: TO-3

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB722 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B722«.

Аналоги

Транзистор 2SB722 можно заменить на 2SB554-O, 2SB723-B, 2SB723-C, MJ11019, MJ11021, MJ11021G