Цоколевка транзистора 2SB744-O

|

Характеристики транзистора 2SB744-O

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -70 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 45 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB744 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB744-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB744-O — в диапазоне от 100 до 200, 2SB744-Y — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB744-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B744-O«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB744-O является транзистор 2SD794-O c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB744-O можно заменить на 2SB744A, 2SB744A-O, BD132, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744, KSB744-O, KSB744A, KSB744A-O, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252, MJE254