Цоколевка транзистора 2SB751A-P
|
Характеристики транзистора 2SB751A-P
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 4000 до 10000
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB751A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB751A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 1000 до 2500, 2SB751A-Q — в диапазоне от 2000 до 5000, 2SB751A-P — в диапазоне от 4000 до 10000.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB751A-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B751A-P«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB751A-P является транзистор 2SD837A-P c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB751A-P можно заменить на 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1024, 2SB673, 2SB674, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP147T, TTB1020B