Цоколевка транзистора 2SB755-R

|

Характеристики транзистора 2SB755-R

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 110
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: MT-200

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB755 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB755-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 55 до 110, 2SB755-O — в диапазоне от 80 до 160.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB755-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B755-R«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB755-R является транзистор 2SD845-R c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB755-R можно заменить на 2SA1095, 2SA1095-R, 2SA1169, 2SA1170, 2SA1187, 2SA1215, 2SA1216, 2SA1295, 2SA1493, 2SA1494