Транзистор 2SB761

Цоколевка транзистора 2SB761

|Цоколевка транзистора 2SB761 (маркируется как B761)

Характеристики транзистора 2SB761

  • Структура — p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -3 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
  • Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB761 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB761-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB761-Q — в диапазоне от 70 до 150, 2SB761-P — в диапазоне от 120 до 250.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB761 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B761«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB761 является транзистор 2SD856 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB761 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB507, 2SB633, 2SB761A, 2SB762, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD936, BD936F, BD938, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G